文献
J-GLOBAL ID:200902189081357045
整理番号:93A0324037
Surface Passivated InP Metal-Semiconductor-Metal Schottky Diode.
著者 (7件):
HAN I K
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
LEE Y J
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
CHOI W J
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
LEE J I
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
KANG K N
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
PARK G H
(Korea Inst. Science and Technology, Seoul)
,
PARK H L
(Yonsei Univ., Seoul)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
26
号:
Suppl (Jan)
ページ:
S159-S162
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)