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文献
J-GLOBAL ID:200902189154418463   整理番号:96A0107555

Si1-xCx合金の電気特性と変調ドープSi/Si1-xCx/Si構造

Electrical properties of Si1-xCx alloys and modulation doped Si/Si1-xCx/Si structures.
著者 (4件):
FASCHINGER W
(Univ. Linz, AUT)
ZERLAUTH S
(Univ. Linz, AUT)
BAUER G
(Univ. Linz, AUT)
PALMETSHOFER L
(Univ. Linz, AUT)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 67  号: 26  ページ: 3933-3935  発行年: 1995年12月25日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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