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文献
J-GLOBAL ID：200902189154418463
整理番号：96A0107555
Si1-xCx合金の電気特性と変調ドープSi/Si1-xCx/Si構造
Electrical properties of Si1-xCx alloys and modulation doped Si/Si1-xCx/Si structures.
FASCHINGER W
(Univ. Linz, AUT)
,
ZERLAUTH S
(Univ. Linz, AUT)
,
BAUER G
(Univ. Linz, AUT)
,
PALMETSHOFER L
(Univ. Linz, AUT)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 26 ページ： 3933-3935 発行年： 1995年12月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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