文献
J-GLOBAL ID:200902189235388623
整理番号:93A0769248
偏光解析法と選択的ぬれによるイオン注入したシリコンのldyer-by-layerの研究
Layer-by-layer investigation of ion-implanted silicon by methods of ellipsometry and selective wetting.
著者 (4件):
BAKHTUROVA L F
(Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
BAKOVETS V V
(Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
DOLGOVESOVA I P
(Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
,
AYUPOV B M
(Inst. Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
4
ページ:
327-330
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)