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文献
J-GLOBAL ID：200902189429712154
整理番号：00A0520016
高品質Siエピタキシャル成長のためのDCバイアス電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリングの最適放電条件
Optimum Discharge Condition of DC Bias Electron Cyclotron Resonance Plasma Stuttering for High Quality Si Epitaxial Growth.
GAO J
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
WANG J
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IWANAGA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IKEDA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
FURUKAWA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MURAOKA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 5A ページ： 2834-2838 発行年： 2000年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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