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文献
J-GLOBAL ID：200902189442188898
整理番号：95A0141449
ノボラック樹脂ベースの化学増幅ネガ型レジストシステムのナノメータイメージング特性及び樹脂マトリックスの分子量分布効果
Nanometer-scale imaging characteristics of novolak resin-based chemical amplification negative resist systems and molecular weight distribution effects of the resin matrics.
SHIRAISHI H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YOSHIMURA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAKAMIZU T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UENO T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OKAZAKI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 12 号： 6 ページ： 3895-3899 発行年： 1994年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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