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文献
J-GLOBAL ID：200902189443227978
整理番号：00A0897561
酸素を制御した表面反応によるCVD技術を使ったギガビットDRAM中のMIMキャパシタ用ルテニウムコンフォーマル電極
A Conformal Ruthenium Electrode for MIM Capacitors in Gbit DRAMs Using the CVD Technology Based on Oxygen-Controlled Surface Reaction.
HIRATANI M
(Hitachi Ltd.)
,
NABATAME T
(Hitachi Ltd.)
,
MATSUI Y
(Hitachi Ltd.)
,
SHIMAMOTO Y
(Hitachi Ltd.)
,
SASAGO Y
(Hitachi Ltd.)
,
NAKAMURA Y
(Hitachi Ltd.)
,
OHJI Y
(Hitachi Ltd.)
,
ASANO I
(Hitachi Ltd.)
,
KIMURA S
(Hitachi Ltd.)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2000 ページ： 102-103 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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