文献
J-GLOBAL ID:200902189453083648
整理番号:98A0352286
高電力AlGaN-GaN HFET’sにおける自己加熱
Self-Heating in High-Power AlGaN-GaN HFET’s.
著者 (4件):
GASKA R
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
OSINSKY A
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
YANG J W
(APA Optics, Inc., MN, USA)
,
SHUR M S
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
19
号:
3
ページ:
89-91
発行年:
1998年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)