文献
J-GLOBAL ID:200902189554367442
整理番号:93A0912162
In1-x-yGaxAlyAs/InPヘテロ構造のバンドギャップ及び整列の型の組成依存性
Composition dependence of band gap and type of lineup in In1-x-y GaxAlyAs/InP heterostructures.
著者 (3件):
BOEHRER J
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
KROST A
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D B
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
14
ページ:
1918-1920
発行年:
1993年10月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)