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文献
J-GLOBAL ID：200902189576993460
整理番号：97A0572026
超低電力デユアルゲートCMOSのための進んだアイソレーション(SITOS)およびゲート-浅い井戸接触(SSS-C)を有する新しいバルク動的しきい値電圧MOSFET(B-DTMOS)
Novel Bulk Dynamic Threshold Voltage MOSFET(B-DTMOS) with Advanced Isolation (SITOS) and Gate to Shallow-Well Contact (SSS-C) Processes for Ultra Low Power Dual Gate CMOS.
KOTAKI H
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
KAKIMOTO S
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
NAKANO M
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
MATSUOKA T
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
ADACHI K
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SUGIMOTO K
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
FUKUSHIMA T
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SATO Y
(Sharp Corp., Nara, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1996 ページ： 459-462 発行年： 1996年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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