文献
J-GLOBAL ID:200902189715679962
整理番号:94A0089309
「ZnSeと半絶縁性GaAsとの界面でのフォノン-プラズモン結合モードのRaman分光法による観察」[Appl.Phys.Lett.62,1800(1993)]に対するコメントに対する返答
Response to “Comment on ‘Observation of phonon-plasmon coupled modes at the interface between ZnSe and semi-insulating GaAs by micro-Raman spectroscopy’” [Appl. Phys. Lett. 62, 1800(1993)].
著者 (5件):
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
USAMI A
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
WADA T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
23
ページ:
3237
発行年:
1993年12月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)