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文献
J-GLOBAL ID：200902189850383151
整理番号：97A0831011
メタンとトリ-n-ブチルホスフィンを利用してガス源分子線エピタクシー成長したn型高伝導性ダイヤモンド膜
n-type high-conductive epitaxial diamond film prepared by gas source molecular beam epitaxy with methane and tri-n-butylphosphine.
NISHIMORI T
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
NAKANO K
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
SAKAMOTO H
(Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Yokohama, JPN)
,
TAKAKUWA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KONO S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 7 ページ： 945-947 発行年： 1997年08月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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