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文献
J-GLOBAL ID：200902189974702565
整理番号：97A0806613
ほう素及びアルミニウム注入によるSiCのドーピング
Doping of SiC by Implantation of Boron and Aluminum.
TROFFER T
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
SCHADT M
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
FRANK T
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
ITOH H
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HEINDL J
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
STRUNK H P
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
MAIER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 162 号： 1 ページ： 277-298 発行年： 1997年07月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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