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文献
J-GLOBAL ID：200902190019725826
整理番号：01A1034076
荷電粒子に関する積層CMOS活性ピクセルセンサの雑音特性
Noise characteristics of stacked CMOS active pixel sensor for charged particles.
KUNIHIRO T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAGASHIMA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TAKAYANAGI I
(Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA J
(Olympus Optical Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOSAKA K
(Tokyo Technol. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YURIMOTO H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 470 号： 3 ページ： 512-519 発行年： 2001年09月11日
JST資料番号： D0208B ISSN： 0168-9002 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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