前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902190026998757
整理番号：95A0707695
GaAs/GaSb/Siヘテロ構造に対する熱アニーリングによる転位密度の低減
Reduction of dislocation density by thermal annealing for GaAs/GaSb/Si heterostructure.
UCHIDA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SOGA T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
NISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 150 号： 1/4 Pt 1 ページ： 681-684 発行年： 1995年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。