文献
J-GLOBAL ID:200902190150331280
整理番号:97A1019203
SrBi2(Ta,Nb)2O9による強誘電体メモリの保持特性
Retention Characteristics of a Ferroelectric Memory Based on SrBi2(Ta, Nb)2O9.
著者 (6件):
SHIMADA Y
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
AZUMA M
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
NAKAO K
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
CHAYA S
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
,
MORIWAKI N
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
,
OTSUKI T
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
9B
ページ:
5912-5916
発行年:
1997年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)