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文献
J-GLOBAL ID：200902190195468023
整理番号：00A0437409
Application of one-bond-type migration to interstitialcy-type self-interstitial and phosphorus in silicon.
YOSHIDA M
(Yoshida Semiconductor Lab., Fukuoka, JPN)
,
KAMIURA Y
(Okayama Univ., Okayama, JPN)
,
TSURUNO R
(Kyushu Inst. Design, Fukuoka, JPN)
,
TAKAHASHI M
(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
TOMOKAGE H
(Fukuoka Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 210 号： 1/3 ページ： 128-131 発行年： 2000年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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