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文献
J-GLOBAL ID：200902190530006862
整理番号：00A0480581
Global numerical simulation of heat and mass transfer for SiC bulk crystal growth by PVT.
SELDER M
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
KADINSKI L
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
MAKAROV Y
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
DURST F
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
WELLMANN P
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
STRAUBINGER T
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
HOFMANN D
(Univ. Erlangen-Nurnberg, Erlangen, DEU)
,
KARPOV S
(Soft-Impact Ltd., St. Petersburg, RUS)
,
RAMM M
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 211 号： 1/4 ページ： 333-338 発行年： 2000年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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