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J-GLOBAL ID：200902190558629202 整理番号：02A0106716

AlGaN Resonant Tunneling Diodes Grown by rf-MBE.

著者 (3件)：

KIKUCHI A

(Sophia Univ., Tokyo, JPN)

BANNAI R

(Sophia Univ., Tokyo, JPN)

KISHINO K

(Sophia Univ., Tokyo, JPN)

資料名：

Physica Status Solidi. A. Applied Research (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻： 188 号： 1 ページ： 187-190 発行年： 2001年11月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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