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文献
J-GLOBAL ID：200902190646131109
整理番号：00A0480584
Analysis of sublimation growth of bulk SiC crystals in tantalum container.
KARPOV S YU
(Soft-Impact Ltd., St. Petersburg, RUS)
,
KULIK A V
(Soft-Impact Ltd., St. Petersburg, RUS)
,
ZHMAKIN I A
(Soft-Impact Ltd., St. Petersburg, RUS)
,
MAKAROV Y N
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
MOKHOV E N
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
RAMM M G
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
RAMM M S
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ROENKOV A D
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
VODAKOV YU A
(A.F. Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 211 号： 1/4 ページ： 347-351 発行年： 2000年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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