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文献
J-GLOBAL ID：200902190782049157
整理番号：01A0976263
高いGe組成比を持つ非常に薄い絶縁体上のSiGe擬基板上の歪みSiの作製
Fabrication of strained Si on an ultrathin SiGe-on-insulator virtual substrate with a high-Ge fraction.
TEZUKA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 12 ページ： 1798-1800 発行年： 2001年09月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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