文献
J-GLOBAL ID:200902190829459570
整理番号:95A1045707
プラズマ援助分子ビームエピタクシーを用いたGaN/GaInN/GaN二重ヘテロ構造の発光ダイオード
GaN/GaInN/GaN Double Heterostructure Light Emitting Diode Fabricated Using Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
著者 (8件):
SAKAI H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
KOIDE T
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
SUZUKI H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMASAKI S
(Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
KOIKE M
(Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
34
号:
11A
ページ:
L1429-L1431
発行年:
1995年11月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)