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文献
J-GLOBAL ID：200902190839222861
整理番号：02A0332844
4Hおよび6H SiC(0001) MOSFETの反転層移動度の,焼成再酸化アニーリング時の水分含有量に対する強い依存性
Strong Dependence of the Inversion Mobility of 4H and 6H SiC(0001) MOSFETs on the Water Content in Pyrogenic Re-Oxidation Annealing.
KOSUGI R
(National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI S
(Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body(UPR), Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
HARADA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
SENZAKI J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 23 号： 3 ページ： 136-138 発行年： 2002年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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