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文献
J-GLOBAL ID：200902190879112945
整理番号：99A0525638
シリコン上に直接堆積したけい酸ハフニウム絶縁体ゲートの電気特性
Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon.
WILK G D
(Texas Instruments, Texas)
,
WALLACE R M
(Texas Instruments, Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 19 ページ： 2854-2856 発行年： 1999年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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