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文献
J-GLOBAL ID：200902190881905618
整理番号：02A0053103
高品質InN膜のMOCVD成長及び残留応力効果のRaman研究
MOCVD Growth of High-Quality InN Films and Raman Characterization of Residual Stress Effects.
KURIMOTO E
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HARIMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HASHIMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 228 号： 1 ページ： 1-4 発行年： 2001年11月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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