文献
J-GLOBAL ID:200902191055182223
整理番号:01A0323816
常圧気相エピタキシー法による室温紫外線発光を示すZnO薄膜の成長
Growth of ZnO thin films exhibiting room-temperature ultraviolet emission by means of atmospheric pressure vapor-phase epitaxy.
著者 (6件):
OMICHI K
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
KAIYA K
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
TAKAHASHI N
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
NAKAMURA T
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
OKAMOTO S
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
YAMAMOTO H
(Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Materials Chemistry
(Journal of Materials Chemistry)
巻:
11
号:
2
ページ:
262-263
発行年:
2001年02月
JST資料番号:
W0204A
ISSN:
0959-9428
CODEN:
JMACEP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)