前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902191112850696
整理番号：98A0861358
超薄ウエハを用いることによるJ-FET抵抗を持たない高電圧MCCTの新概念
A New Concept for High Voltage MCCT with No J-FET Resistance by Using a Very Thin Wafer.
IWAMURO N
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
IWAANA T
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
HARADA Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
ONOZAWA Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
,
SEKI Y
(Fuji Electric Corporate R&D Ltd., Matsumoto, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1997 ページ： 351-354 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。