文献
J-GLOBAL ID:200902191122673350
整理番号:94A0687199
純粋のNe,ArまたはKr雰囲気下でのアンドープ及びSbドープSi融液からの酸化物の蒸発速度
Evaporation Rates of Oxides from Undoped and Sb-Doped Si Melts under Atmospheres of Pure Ne, Ar, and Kr.
著者 (5件):
HUANG X
(JRDC, Ibaraki)
,
TERSHIMA K
(JRDC, Ibaraki)
,
TOKIZAKI E
(JRDC, Ibaraki)
,
KIMURA S
(JRDC, Ibaraki)
,
WHITBY E
(Chimera Technologies, Minnesota, USA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
33
号:
7A
ページ:
3808-3812
発行年:
1994年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)