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文献
J-GLOBAL ID:200902191267352870   整理番号:01A0976265

p-Si/β-FeSi2粒子/n-Si発光ダイオードからの発光に対するβ-FeSi2の埋込みとその結果のβ-FeSi2中の歪みへのSiの成長温度の影響

Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi2 and resultant strain in β-FeSi2 on light emission from p-Si/β-FeSi2 particles/n-Si light-emitting diodes.
著者 (5件):
SUEMASU T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
NEGISHI Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
TAKAKURA K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
HASEGAWA F
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
CHIKYOW T
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 79  号: 12  ページ: 1804-1806  発行年: 2001年09月17日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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