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文献
J-GLOBAL ID：200902191267352870
整理番号：01A0976265
p-Si/β-FeSi2粒子/n-Si発光ダイオードからの発光に対するβ-FeSi2の埋込みとその結果のβ-FeSi2中の歪みへのSiの成長温度の影響
Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi2 and resultant strain in β-FeSi2 on light emission from p-Si/β-FeSi2 particles/n-Si light-emitting diodes.
SUEMASU T
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
NEGISHI Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TAKAKURA K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HASEGAWA F
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
CHIKYOW T
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 12 ページ： 1804-1806 発行年： 2001年09月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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