文献
J-GLOBAL ID:200902191321030671
整理番号:93A0808354
反応性クラスタイオンビーム法によるサファイア基板上のTiO2ルチル薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial Growth of TiO2 Rutile Thin Films on Sapphire Substrates by a Reactive Ionized Cluster Beam Method.
著者 (3件):
FUKUSHIMA K
(Setsunan Univ., Osaka)
,
TAKAOKA G H
(Kyoto Univ., Kyoto)
,
YAMADA I
(Kyoto Univ., Kyoto)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
8
ページ:
3561-3565
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)