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文献
J-GLOBAL ID：200902191435707310
整理番号：98A0067409
Si(001)上の歪んだSi1-yCyおよびSi1-x-yGexCy合金における電荷輸送
Charge transport in strained Si1-yCy and Si1-x-yGexCy alloys on Si(001).
OSTEN H J
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
GAWORZEWSKI P
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 82 号： 10 ページ： 4977-4981 発行年： 1997年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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