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文献
J-GLOBAL ID：200902191491798213
整理番号：98A0793836
バルクとホモエピタキシャルGaN成長と特性評価
Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterisation.
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 153-158 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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