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文献
J-GLOBAL ID：200902191576449200
整理番号：00A0641937
熱アニーリングをした時の絶縁体上けい素基板上のけい素島状構造の形成
Formation of silicon islands on a silicon on insulator substrate upon thermal annealing.
LEGRAND B
(Inst. Electronique et de Microelectronique du Nord, CNRS, Lille, FRA)
,
AGACHE V
(Inst. Electronique et de Microelectronique du Nord, CNRS, Lille, FRA)
,
NYS J P
(Inst. Electronique et de Microelectronique du Nord, CNRS, Lille, FRA)
,
SENEZ V
(Inst. Electronique et de Microelectronique du Nord, CNRS, Lille, FRA)
,
STIEVENARD D
(Inst. Electronique et de Microelectronique du Nord, CNRS, Lille, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 22 ページ： 3271-3273 発行年： 2000年05月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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