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文献
J-GLOBAL ID：200902191925021913
整理番号：01A0016977
Pd-In金属ボンディングとレーザリフトオフによって製作したSi基板上のInxGa1-xN発光ダイオード
InxGa1-xN light emitting diodes on Si substrates fabricated by Pd-In metal bonding and laser lift-off.
WONG W S
(Univ. California, California)
,
SANDS T
(Univ. California, California)
,
CHEUNG N W
(Univ. California, California)
,
KNEISSL M
(Xerox PARC, California)
,
BOUR D P
(Xerox PARC, California)
,
MEI P
(Xerox PARC, California)
,
ROMANO L T
(Xerox PARC, California)
,
JOHNSON N M
(Xerox PARC, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 18 ページ： 2822-2824 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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