文献
J-GLOBAL ID:200902191953753261
整理番号:96A0448562
2段階拡散法によるシリコン中のPt誘起トラップ濃度プロフィルの均一化
Uniformalization of the Pt-induced-trap concentration profile in silicon by the two-step diffusion method.
著者 (3件):
DENG B
(Keio Univ., Yokohama, JPN)
,
SHU C
(Keio Univ., Yokohama, JPN)
,
KUWANO H
(Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
11
号:
4
ページ:
535-537
発行年:
1996年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)