文献
J-GLOBAL ID:200902191963392267
整理番号:01A0503702
気相硫化により作製したCu2ZnSnS4薄膜の特性
Characterization of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared by Vapor Phase Sulfurization.
著者 (4件):
KATAGIRI H
(Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN)
,
ISHIGAKI N
(Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN)
,
ISHIDA T
(Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN)
,
SAITO K
(Nagaoka National Coll. Technol., Nagaoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
2A
ページ:
500-504
発行年:
2001年02月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)