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J-GLOBAL ID：200902192224651102 整理番号：02A0470069

水素化したアモルファスシリコンにおける強い光学励起の下での光誘起欠陥生成

Light-induced defect creation under intense optical excitation in hydrogenated amorphous silicon.

著者 (2件)：

MORIGAKI K

(Hiroshima Inst. Technol., Hiroshima, JPN)

HIKITA H

(Meikai Univ., Chiba, JPN)

資料名：

Journal of Non-Crystalline Solids (Journal of Non-Crystalline Solids)

巻： 299/302 号： Pt.A ページ： 455-459 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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