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文献
J-GLOBAL ID：200902192290457856
整理番号：95A0756419
3.9μmで発光するInAsSb/InAlAsSb歪み量子井戸ダイオードレーザ
InAsSb/InAlAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9μm.
CHOI H K
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
TURNER G W
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 3 ページ： 332-334 発行年： 1995年07月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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