文献
J-GLOBAL ID:200902192370931435
整理番号:01A0772371
非常に低い温度における光およびプラズマCVDで成長させた引張り歪をもつSi1-yCy合金の評価
Characterization of Tensile Strained Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature.
著者 (5件):
ABE K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAGI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OKABAYASHI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
40
号:
7
ページ:
4440-4444
発行年:
2001年07月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)