文献
J-GLOBAL ID:200902192460678330
整理番号:96A0940089
CMOS・n(p)井戸抵抗器における狭幅効果
Narrow Width Effects in CMOS n(p)-Well Resistors.
著者 (3件):
AURICCHIO C
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza (Mi), ITA)
,
BEZ R
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza (Mi), ITA)
,
GROSSI A
(SGS-Thomson Microelectronics, Agrate Brianza (Mi), ITA)
資料名:
Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
(Proceedings. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures)
巻:
1996
ページ:
13-16
発行年:
1996年
JST資料番号:
T0991A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)