文献
J-GLOBAL ID:200902192583223108
整理番号:96A0952461
少量ドープ型シリコン結晶上に生成した多孔性シリコンの細孔構造
Pore Structure of Porous Silicon Formed on a Lightly Doped Crystal Silicon.
著者 (6件):
RUIKE M
(Tokyo Denki Univ., Saitama, JPN)
,
HOUZOUJI M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
MOTOHASHI A
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
MURASE N
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KINOSHITA A
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KANEKO K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名:
Langmuir
(Langmuir)
巻:
12
号:
20
ページ:
4828-4831
発行年:
1996年10月02日
JST資料番号:
A0231B
ISSN:
0743-7463
CODEN:
LANGD5
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)