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文献
J-GLOBAL ID:200902192785837680   整理番号:02A0328530

薄膜成長および後アニーリングの間における,化学蒸着HfO2薄膜とHF清浄化シリコン基板との間での界面反応

Interfacial reaction between chemically vapor-deposited HfO2 thin films and a HF-cleaned Si substrate during flim growth and postannealing.
著者 (7件):
PARK B K
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
PARK J
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
CHO M
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
HWANG C S
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
OH K
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)
HAN Y
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)
YANG D Y
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 80  号: 13  ページ: 2368-2370  発行年: 2002年04月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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