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文献
J-GLOBAL ID：200902192785837680
整理番号：02A0328530
薄膜成長および後アニーリングの間における,化学蒸着HfO2薄膜とHF清浄化シリコン基板との間での界面反応
Interfacial reaction between chemically vapor-deposited HfO2 thin films and a HF-cleaned Si substrate during flim growth and postannealing.
PARK B K
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
PARK J
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
CHO M
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG C S
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
OH K
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)
,
HAN Y
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)
,
YANG D Y
(Jusung Engineering LTD., Kyunggi-Do, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 13 ページ： 2368-2370 発行年： 2002年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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