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文献
J-GLOBAL ID：200902193220438486
整理番号：01A0777332
ZrO2高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
Preparation and characterization of ZrO2 high-k gate insulator films by PLD.
北井聡
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
寒川雅之
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
神田浩文
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
金島岳
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
奥山雅則
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101 号： 108(SDM2001 53-58) ページ： 19-24 発行年： 2001年06月08日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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