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文献
J-GLOBAL ID：200902193332594812
整理番号：99A0518448
有機金属気相エピタクシーで(GaN/AlN)バッファを持つ(0001)6H-SiC上に成長させたAlN層中の引っ張り歪
Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy on (0001) 6H-SiC with (GaN/AlN) Buffer.
KURIMOTO M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKADA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
ISHIHARA Y
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIBATA M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HONDA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 5B ページ： L551-L553 発行年： 1999年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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