文献
J-GLOBAL ID:200902193353567416
整理番号:02A0442875
Gate-Overlapped LDD構造をもつ低温ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性評価
Analysis of Reliability of Low-Temperature poly-Si TFTs with Gate-Overlapped LDD.
著者 (6件):
中川未浩
(奈良先端科学技術大学院大)
,
河北哲郎
(奈良先端科学技術大学院大)
,
矢野裕司
(奈良先端科学技術大学院大)
,
畑山智亮
(奈良先端科学技術大学院大)
,
浦岡行治
(奈良先端科学技術大学院大)
,
冬木隆
(奈良先端科学技術大学院大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
102
号:
6(SDM2002 1-7)
ページ:
7-12
発行年:
2002年04月16日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)