文献
J-GLOBAL ID:200902193368975774
整理番号:01A0654557
低ゲート電流のゲート長0.15μmの60GHz動作の高パワーGaInAs/InP複合チャネルHEMT
A 0.15-μm 60-GHz High-Power Composite Channel GaInAs/InP HEMT with Low Gate Current.
著者 (5件):
BOUDRISSA M
(Univ. Sci. Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
DELOS E
(Univ. Sci. Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
WALLAERT X
(Univ. Sci. Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
THERON D
(Univ. Sci. Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
DE JAEGER J C
(Univ. Sci. Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
22
号:
6
ページ:
257-259
発行年:
2001年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)