文献
J-GLOBAL ID:200902193388943046
整理番号:96A0963724
Advanced Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing Technologies for Highly Reliable 0.25μm Dual Gate CMOS.
著者 (7件):
SHIMIZU S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASAKI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUTSUMI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ODA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
1996
ページ:
64-65
発行年:
1996年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)