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文献
J-GLOBAL ID：200902193398112754
整理番号：95A0028011
RFマグネトロンスパッタリングと分子ビームエピタクシーによる(100)Si上へのZnSの低温エピタキシャル成長
Low temperature epitaxial deposition of ZnS onto (100)Si by RF magnetron sputtering and molecular beam epitaxy.
MCCLEAN I P
(Univ. Bradford, Bradford, GBR)
,
SPINK D M
(Univ. Bradford, Bradford, GBR)
,
THOMAS C B
(Univ. Bradford, Bradford, GBR)
,
TSAKONAS K
(Univ. Bradford, Bradford, GBR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 143 号： 3/4 ページ： 172-175 発行年： 1994年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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