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文献
J-GLOBAL ID：200902193564419219
整理番号：95A0805565
単結晶金属,絶縁体,及び単結晶及びMBE成長させた層状半導体上の大型分子のエピタクシー
Large Molecule Epitaxy on Single Crystal Metals, Insulators and Single Crystal and MBE-Grown Layered Semiconductors.
SCHUERLEIN T J
(Univ. Arizona, Arizona, USA)
,
SCHMIDT A
(Univ. Arizona, Arizona, USA)
,
LEE P A
(Univ. Arizona, Arizona, USA)
,
NEBESNY K W
(Univ. Arizona, Arizona, USA)
,
ARMSTRONG N R
(Univ. Arizona, Arizona, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34 号： 7B ページ： 3837-3845 発行年： 1995年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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