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文献
J-GLOBAL ID：200902193596476540
整理番号：00A0867319
走査型トンネル顕微鏡法/走査型トンネル分光法により調べた電子注入によるSiO2超薄膜へのトラップ生成
Trap creation in ultrathin SiO2 films due to electron injection studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy.
OHMORI K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 162/163 ページ： 395-400 発行年： 2000年08月
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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