文献
J-GLOBAL ID:200902193697571803
整理番号:01A0508833
ゲート材料としての多結晶けい化ニッケル皮膜
Investigation of Polycrystalline Nickel Silicide Films as a Gate Material.
著者 (3件):
QIN M
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
POON V M C
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
HO S C H
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
148
号:
5
ページ:
G271-G274
発行年:
2001年05月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)